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作者:網(wǎng)站管理員    發(fā)布時(shí)間:2022-05-06    瀏覽次數(shù):

產(chǎn)品屬性
類型 描述
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商 onsemi
系列 QFET®
包裝 卷帶(TR)
剪切帶(CT)
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 11A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 115 毫歐 @ 5.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 6.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào) FQD13N06

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