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AGM303D

作者：網站管理員發布時間：2024-06-22 瀏覽次數：

芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 110A，功率(Pd): 70W

●產品概述

AGM303D將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術 ■LowRDS（ON）最小化導電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關 ■低熱阻

●應用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronousRectifier ■POL應用 ■BLDC電機驅動器

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●產品概述

AGM303D將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術 ■LowRDS（ON）最小化導電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關 ■低熱阻

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