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作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時間：2024-09-04 瀏覽次數(shù)：
TK 16 N60 W Si N溝道MOSIV（DTMOSIV）采用了DTMOSIV一代的芯片設(shè)計(jì)，并有不同的變體。
Si N溝道MOS具有低漏源通電阻和快反向恢復(fù)時間的特點(diǎn)。這些MOS器件可以輕松控制柵極開關(guān)。
TK 16 x60 W MOS有不同尺寸可供選擇，采用DFN 8x8、TO-247、TO-3 P（N）、D2 PAK、TO-220
和TO-220 SIS不同封裝。這些TK 16 x60 W Si N溝道MOS器件用于開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器。
1. 應(yīng)用
開關(guān)型電壓調(diào)節(jié)器
2。特點(diǎn)
（1）低排水源接通電阻:RDS（ON）=0.16? (typ.) 用于超級結(jié)結(jié)構(gòu):DTMOS
（2）易于控制門開關(guān)
（3）增強(qiáng)方式:Vth=2.7至3.7伏（VDS=10伏，ID=0.79毫安）
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