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TK22V65X5，LQ是東芝DT MOS IV-H MOSFETs

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-09-30 瀏覽次數(shù)：

東芝 DTMOSIV-H MOSFET 適用于需要高可靠性、高能效和緊湊型設(shè)計的應(yīng)用，例如用于服務(wù)器和電信基站的高效開關(guān)電源以及光伏逆變器電源穩(wěn)壓器。

東芝 DTMOSIV -H MOSFET 實現(xiàn)了高速開關(guān)性能，同時保持了傳統(tǒng) DTMOSIV 的低導(dǎo)通電阻水平，并且不會損失功率。這是通過降低柵極和漏極之間的

寄生電容來實現(xiàn)的，這也有助于提高能效和縮小產(chǎn)品的尺寸。

特點
1.柵極模式優(yōu)化，與傳統(tǒng) DTMOSIV 相比，柵極漏電荷減少45%
2.由于采用單一外延工藝，在高溫下的低接通電阻小幅增加
3.低接通電阻陣列
4.1個頻道
5.N溝道晶體管極性
6.10V門控驅(qū)動器
7.600V漏電源擊穿電壓
8.7A至61.8A連續(xù)排水電流
9.0.04Ω至0.135ΩRDS（接通）最大值
10.DFN、TO-220、TO-220SIS和TO-247封裝選項